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近红外光谱仪
近红外光谱仪
瞬态 1ms 光谱采集 / 900~2500nm 宽波谱 / Deep Cooling 探测器
      
NIR 系列 近红外光谱仪
是一款具有热电内制冷技术的光谱仪,采用高速线列 InGaAs CCD,集成消除高阶衍射的台阶滤光片,能够覆盖 900~2500nm 整个近红外光谱,特别适用于近红外在线光谱检测的场合。
NIR25S 近红外光谱仪
典型应用领域:
      
 透反射/吸收光谱 
  由于样品的多样和测试条件的复杂,光谱仪需要具有较强的系统通用性和适应性。
      
 在线成分分析 
  在线成分分析,例如烟草中的水分分析,需要光谱仪具有 ms 级的光谱采集和传输能力;同时,需要近红外光谱仪具有芯片级的内制冷能力,以满足稳定性的要求。
      
      NIR 系列 近红外光谱仪 具有以下显著特点:
 1 
 瞬态 1ms 光谱采集 
NIR 系列 近红外光谱仪采用 Hamamatsu 阵列化 InGaAs 探测器,区别于传统扫描式光谱仪,能在 ms 量级采集光谱,非常适合在实验室中快速完成实验设想;
 2 
 900~2500nm 宽波谱 
NIR 系列光谱仪覆盖多个近红外区域的探测波段,提供 900 到 1700nm,2050nm,2200nm,2500nm等多个波段,满足多样化的灵敏度与波段需求;
 3 
 深度 TEC 制冷 
NIR 系列 近红外光谱仪采用
芯片级内制冷技术
,对 InGaAs 探测器进行深度制冷,并有效解决低温结露问题,将信噪比提升至 15000:1 水平;
 4 
 高分辨率 
NIR 系列光谱仪新增 512 像素探测器,使波长分辨率达 1.5nm,光谱分辨率高至 3.2nm,突破了像元数量对于分辨率的限制。
      
      
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使用复享光纤光谱仪产品,并标注“ideaoptics”的文献清单(部分)
✽
“Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si.”
Nature Photonics
(2016).
影响因子:37.852,单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,通讯作者:孙钱
✽
"Piecewise phototuning of self-organized helical superstructures."
Advanced Materials
(2017).
影响因子:19.791,单位:复旦大学/材料系,通讯作者:俞燕蕾
✽
"Arrayed Van Der Waals broadband detectors for dual-band detection."
Advanced Materials
(2017).
影响因子:19.791,单位:中国科学院上海技术物理研究所、复旦大学物理系,通讯作者:陈效双 等
✽
"Reconfigurable metasurfaces that enable light polarization control by light."
Light: Science & Applications
(2016).
影响因子:14.098,单位:南开大学/物理科学学院,通讯作者:任梦昕 等
✽
"Aggregation-induced emission luminogen with deep-red emission for through-skull three-photon fluorescence imaging of mouse."
ACS Nano
(2017).
影响因子:13.942,单位:浙江大学/光电科学与工程学院,通讯作者:钱骏 等
✽
"Additive mixing and conformal coating of noniridescent structural colors with robust mechanical properties fabricated by atomization deposition."
ACS Nano
(2018).
影响因子:13.942,单位:苏州大学/纺织与服装工程学院,通讯作者:张克勤
✽
"A general strategy for biocompatible, high-effective upconversion nanocapsules based on triplet-triplet annihilation."
Journal of the American Chemical Society
(2013).
影响因子:13.858,单位:复旦大学/化学系,通讯作者:李富友
✽
"Controlled Sn-doping in TiO2 nanowire photoanodes with enhanced photoelectrochemical conversion."
Nano Letters
(2012).
影响因子:12.712,单位:复旦大学/先进材料实验室,通讯作者:郑耿锋
✽
"Temperature-feedback upconversion nanocomposite for accurate photothermal therapy at facile temperature."
Nature Communication
(2016).
影响因子:12.124,单位:复旦大学/化学系,通讯作者:李富友
✽
"Observation of multiphoton-induced fluorescence from graphene oxide nanoparticles and applications in vivo functional bioimaging."
Angewandte Chemie International Edition
(2012).
影响因子:11.994,单位:浙江大学/光电科学与工程学院,通讯作者:何赛灵
✽
"Optimized colorimetric sensor strip for mercury(II) assay using hierarchical nanostructured conjugated polymers."
Journal of Materials Chemistry A
(2013).
影响因子:8.867,单位:东华大学/纺织学院,通讯作者:丁彬
✽
"An obvious improvement in the performance of ternary organic solar cells with 'Guest' donor present at the 'Host' donor/acceptor interface."
ACS Applied Materials & Interfaces
(2016).
影响因子:7.504,单位:山东大学/物理学院,通讯作者:郝晓涛
§
建议标注文字:
NIR near-infrared spectrometer, ideaoptics, China
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技术参数
技术参数
关键技术
关键技术
型号
间隔
10*
(25)*
50*
100*
200*
NIR17S
3.13
4.68
5.31
6.88
7.81
13.47
NIR17+Px
1.56
2.86
3.29
4.27
6.57
12.82
NIR19S
3.13
4.68
5.31
6.88
7.81
13.47
NIR19+Px
1.56
2.86
3.29
4.27
6.57
12.82
NIR20S
4.77
6.56
7.96
9.37
11.71
19.54
NIR22S
5.63
8.53
8.67
10.53
13.93
24.22
NIR22+Px
2.82
4.79
5.20
6.21
11.82
23.64
NIR25S
6.25
8.75
10.62
12.50
15.62
26.94
NIR25+Px
3.13
6.13
7.44
8.75
13.14
25.64
±20%
(nm)
FWHM
Loading…
备注:(*) 代表物理波段宽于实际探测波段;部分产品无现货,详情请垂询销售工程师。
NIR17S 近红外光谱仪
项目
值
探测范围:
900~1700nm,具体视光栅而定
波长分辨率:
3.2nm,基于 150 线光栅,详细可参见《型号表》
光学分辨率:
4.7nm,基于 150 线光栅和 10μm狭缝,详细可参见《型号表》
探测器:
Hamamatsu,256 CCD
制冷:
一级芯片内 TEC 制冷
积分时间:
1ms ~ 15s
信噪比:
3000:1 (典型值)
动态范围:
10000:1 (典型值)
Loading…
NIR25S 近红外光谱仪
项目
值
探测范围:
900~2500nm,具体视光栅而定
波长分辨率:
6.3 nm
光学分辨率:
最优 8.8 nm (FWHM),基于 75 线光栅和 10μm 狭缝,详细可参见《型号表》
探测器:
Hamamatsu,256 pixels CCD
制冷:
二级芯片内 TEC 制冷
积分时间:
1~150ms
信噪比:
7000:1 (典型值)
动态范围:
15000:1 (典型值)
★ 消除高阶衍射:
后置滤光片,用以消除光谱中的鬼线
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其他参数
项目
值
光学平台:
焦距 100.0mm,f 数 4.5,对称交叉 C-T 光路
A/D位数:
16 bits
外部触发:
4 种外部触发模式:Normal / Level / Edge / Synchronization
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近红外技术
采用高品质长波型 InGaAs 阵列探测器,实现 900~2500nm 波段探测
内制冷技术
采用芯片内制冷技术,更加快速而精确地控制探测器制冷温度,有效抑制暗电流噪音,增加光谱仪稳定性
低杂散光技术
采用对称交叉 C-T 光路设计,内部喷涂航天级高吸光材料,有效抑制杂散光形成
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